黄程教授，苏州大学特聘教授，南京工业大学先进材料研究院先进能源材料研究所所长、苏州市先进碳材料与可穿戴能源技术重点实验室主任、苏州市产业技术研究院电子功能材料技术研究所柔性混合电子高密度材料技术中心主任                

骆天治教授，中国科学技术大学，力学与材料交叉领域专家                

周圣军教授，武汉大学    

研究方向：GaN基半导体光电子器件

个人简介：                 

       周圣军，武汉大学教授、博士生导师，入选国家级高层次人才（青年），湖北省杰青、楚天学者。长期从事Mini/Micro-LED外延生长与芯片制造技术研究工作，承担国家及省部级课题10余项。在Laser & Photonics Reviews、Nano Energy、Nanoscale、Applied Surface Science、Applied Physics Letters、Optics Express、Optics Letters、Journal of Applied Physics、IEEE Transactions on Electron Devices等期刊发表第一或通讯作者SCI论文92篇，ESI高被引论文5篇，主编学术专著2部（科学出版社和Springer出版社），获授权国家发明专利36件，研究成果被国际著名半导体行业媒体《Semiconductor Today》和《Compound Semiconductor》专栏报道23次。周圣军教授获中国产学研合作创新奖（个人），IAAM Scientist Medal，Fellow of VEBLEO，英国物理学会出版社CHINA TOP CITED PAPER AWARD，英国物理学会出版社'Outstanding Reviewer' Award和第六十届IEEE Electronic Components and Technology Conference 杰出贡献奖。担任第十七届ICEPT国际学术会议组织委员会共同主席，江西省化合物半导体光电器件工程研究中心专家委员会主任和《光子学报》第一届青年编委。

题目：Boosting quantum efficiency of GaN-based light-emitting diodes

摘要：III-nitride light-emitting diodes (LEDs) have attracted considerable interest for applications in automotive front lighting, high-resolution full color displays, and visible light communication. However, the internal quantum efficiency of GaN-based LEDs is limited by high threading dislocation density in GaN film due to the lattice mismatch and difference in thermal expansion coefficients between the GaN and the substrate. In addition, the light extraction efficiency of GaN-based LEDs is relatively low due to total internal reflection of light at the GaN-air interface. We will outline the recent advances in improving crystalline quality and light extraction efficiency of III-nitride blue/green/ultraviolet LEDs. Recent work in our research group, including sputtered AlN nucleation layer, ultrathin tunneling junction, hybrid nucleation layer, patterned substrate with silica array (PSSA), pre-well structure, staggered quantum wells, V-shaped pits, sidewalls nano-prism, thermally stable Ag mirror, and full-angle distributed Bragg reflector (DBR), will be discussed in this talk. We show that the sputtered AlN nucleation layer can enhancec-plane growth and suppress growth of GaN on cone region of PSS, which can effectively eliminate the undesirable GaN islands on the inclined sidewall of PSS and thus suppress the generation of TDs from coalescence of GaN islands. We find that the V-pit potential barrier height depends on the V-pit diameter, which plays an important role in determining the quantum efficiency, forward voltage and efficiency droop of green LEDs. We demonstrate efficient InGaN-based yellow (570 nm) LEDs with optimized three-layer staggered quantum wells (QWs) that are grown on patterned sapphire substrates. We observed a reduced threading dislocation density in the films grown on PSSA, attributing to the preferable vertical growth mode and reduced misfit at the coalescence boundary. Furthermore, a significant enhancement in light extraction efficiency can be achieved from InGaN/AlGaN-based ultraviolet LEDs built on PSSA owing to the large refractive index contrast between the epilayers and PSSA. We show that it is possible to improve both the light extraction efficiency and current spreading of flip-chip LED by incorporating a highly reflective metallic reflector made from Ag. Moreover, mini/micro-LEDs for high-definition displays will be introduced.

蔡勖升研究员，哈尔滨工业大学

研究方向：离子束与等离子体技术应用

个人简介：    

       本人累计共发表45篇SCI论文（第一或通讯作者23篇），H因子为15，已获得授权美国及台湾发明专利各1项，主持项目经费累计约200万。论文引用次数最高前五名皆为本人第一作者之文章，其中收获许多顶尖期刊文章的引用（Nat. Commun., npj Quantum Mater., NPG Asia Mater., Chem. Soc. Rev., Chem. Rev., Adv. Mater., Nano Today）。单篇最高引用次数为223。于2018年获奖德国洪堡学者荣誉(台湾地区平均一年1-2人获奖)，国际肯定研究成果与专业能力。个人长期致力于等离子体及离子束技术制备二维材料并研究其材料物理性质，此制备技术为个人率先开发并应用于多种二维材料制备，目前正主要开展以离子束辅助制作新型二维材料晶体管器件，探讨器件中各种物理问题，借此了解其如何影响器件性能，并尝试克服以达成器件性能的提升。

题目：等离子体与离子束技术用于薄膜材料制备

摘要：首先通过等离子体技术制备石墨烯薄膜材料，这一制程有效地以低真空制程制备出大尺度且免转移的石墨烯薄膜于碳化硅晶圆上。在氮等离子体处理碳化硅过后的退火制程中，氮与硅优先自发反应形成氮化硅，同时碳原子将被排挤凝聚至表面形成石墨烯薄膜，除了材料分析鉴定，也将制备好的石墨烯制作为晶体管器件的沟道材料，从器件性能量测结果得知石墨烯的品质优良。后续扩展等离子体与离子束技术用于一系列类石墨烯、过渡金属硫族化合物、过渡金属氮化物薄膜材料制备。

工程力学

计算力学

热力学
固体力学

流体力学

材料力学

生物力学

弹性力学

断裂力学

结构动力学

质点及材料力学

工程结构实验力学等

结构材料

功能材料

柔性电子材料

生物材料

仿生材料

能源材料

硅材料

智能材料

三维材料

微/纳米材料

半导体材料

新能源材料

高分子材料

可再生材料

超塑性材料

先进复合材料

有色金属材料

光学/电子/磁性材料等